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瑞薩公佈新策略 預計達成兩位數平均年成長率
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍 報導】   2010年10月28日 星期四

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瑞薩電子近日發表其強化功率半導體事業之新策略。瑞薩電子功率半導體事業規模約佔該公司三大核心事業群中類比及功率半導體(A&P)事業部門的四分之一。

瑞薩電子計畫採取以下策略:

(1)強化從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容

瑞薩電子將進一步強化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合併所實現的廣大產品內容,擴大從低電壓至高電壓的產品。瑞薩電子將在2013年3月以前開發約1,000項新產品,其中,在低電壓半導體方面包括了低電壓功率MOSFET及基本智慧功率半導體(IPD);在高電壓半導體方面則包括了高電壓功率MOSFET、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT),及雙向矽控整流器(TRIAC)。

(2)強化中國的銷售結構

瑞薩電子將於中國推出全新的部門行銷結構。包括設立四個銷售團隊,分別是家用設備、汽車、工業、及電池管理,A&P事業部門將與瑞薩電子中國分公司當地的企劃、開發部門共同合作,開發中國專屬的產品。瑞薩電子的中國行銷人員人數亦將比2010會計年度開始時增加一倍,並計畫即時供應最符合中國市場需求的產品。瑞薩電子預期2012會計年度的中國銷售額將可增加為2010會計年度的1.5倍。

(3)擴大產能

瑞薩電子將同時強化其前段及後段製程生產線結構,包括將8吋晶圓廠生產線產能自2010至2012會計年度增加一倍,並提升馬來西亞兩座工廠的產能,同時透過中國的轉包商擴大日本以外的生產。

透過上述策略,該公司預期2012會計年度A&P事業的年銷售額將達到2010會計年度的1.2倍(2009會計年度的1.6倍),並持續達成兩位數的平均年成長率,目標是成為全球功率半導體之領導供應商。

關鍵字: MOSFET  瑞薩電子(Renesas
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