英特爾（Intel）將在ISSCC 2008上發表採用high-k絕緣膜和金屬柵極，以45奈米CMOS製程製作的SRAM晶片。電源電壓為1.1V時，工作頻率為3.5GHz。主要用於新一代Core 2微處理器的二次緩存。

為提高低壓工作時SRAM單元的穩定性，英特爾對單元的PMOS電晶體進行了動態體偏壓（body bias）控制。除此之外，還配備有可程式控制LSI工作時的漏電電流的電路。

過去對於65奈米的LSI製程，邏輯LSI廠商的電晶體柵極絕緣膜一直採用SiON係材料等。但是製程微細化發展到45奈米之後，人們越來越擔心在柵極絕緣膜厚度日趨減小的同時，漏電流也會猛增。通過採用high-k絕緣膜，可以減小漏電流，提高LSI的性能。