Intel誓言在45nm之後，摩爾定律將延續不變。Intel的LSI技術策略研究員暨技術策略總監Paolo A. Gargini表示，即使在45nm以後，也將延續每兩年電晶體數量倍增的晶圓製程技術。繼2007年下半年量產的45nm之後，Intel於2009年將開始32nm製程、2011年將開始22nm製程的量產。此外，透過導入多柵極構造及新溝道材料技術的改進，摩爾定律將延續至往後10～15年。

Intel致力於CMOS電晶體的技術革新，並以45nm製程的高介電率絕緣膜及金屬柵極的實用化為發展方向。Intel一直默默研究如何減低45nm製程量產時的元件缺陷，因此良率以和過去65nm製程相同的速度提高。

關於32nm的曝光技術，Intel表示將導入使用純水的液浸ArF曝光技術，透過光學臨近修正（OPC）及相移掩膜技術的改進來達成。而EUV（超紫外線）曝光則將在22nm製程以後使用。