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台積電65奈米浸潤式微影技術將列入ITRS藍圖
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年12月03日 星期三

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據Digitimes報導,全球半導體製程藍圖制定委員會(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)台灣代表盧志遠指出,台積電主導的65奈米以下光罩製作之浸潤式微影技術(Immersion Lithography),將與無線IC製程一同列入此次ITRS藍圖中;另外,由於技術難度增高等因素影響,盧志遠表示半導體製程時代自2003年開始,又將恢復3年1個世代的週期。

盧志遠在2003年ITRS會前記者會中表示,半導體製程將自2004年起進入90奈米時代,而在台積電的大力推動下,針對65奈米半導體製程光罩制作提出的Immersion Lithography技術,此次將列入ITRS藍圖編定,ITRS估計,65奈米半導體製程將在2007年成為半導體製程主流,但2010年進入50奈米半導體製程時代後,微縮技術將面臨瓶項。

另外,由於矽半導體業者近年來積極發展無線IC相關製程,目前已可量產頻率高達5GHz的射頻IC,加上矽晶圓與矽鍺晶圓(SiGe)(目前用於生產5GHz~10GHz無線IC)之間並無技術鴻溝,因此估計未來矽晶圓業者生產的無線IC將進展至10GHz的水準,這也將列入此次ITRS製程藍圖編定。

盧志遠表示,1990年代半導體製程發展技術超前ITRS的進度,每世代半導體製程技術,由60年代、70年代每3年1週期縮短為2年1週期,不過在整體市場需求、技術門檻愈來愈高、業者放慢擴產動作等障礙下,估計2003年起半導體製程世代演進,將再恢復到3年1次的週期。

關鍵字: ITRS 
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