快閃記憶體(Flash)是電腦及電子產品中常用的記憶體，相較於DRAM，它具有快速記憶資料的特性，切斷電源後仍將繼續保存資料。不過，經過約1萬次抹寫循環後，Flash記憶體的可靠性將大幅降低，日前旺宏電子對此限制有了重大突破，該公司研究人員發現可透過加熱修復記憶體，讓它能完成1億次抹寫循環。

透過加熱修復記憶體，Flash能完成1億次抹寫循環 BigPic:640x480

事實上，學界很早即提出高熱有助於恢復耗損的老舊記憶體，但學界的作法是將快閃記憶體放在攝氏250度的爐子裡數小時，這無法在現實的使用情境中實現。根據BCC的報導指出，旺宏採用的技術是加熱器與快閃記憶體材料放在一起，此加熱器可對小群的記憶單元加熱，短暫將區域內的溫度拉到攝氏800度，把受損區還原到正常狀態。

旺宏電子研究員指出，重新設計過的晶片很安全，因為僅有非常小區域內的記憶體會受熱且時間僅數毫秒，過程只會消耗少量電力，對行動裝置的電池壽命沒有太大影響。目前旺宏的新型記憶體晶片已展現1億次讀寫循環的性能，但它的最大限度測試仍在測試中，因為測試數千萬次讀寫就需要多週時間，數十億次循環可能須耗時「數月」。

讓Flash使用壽命提升千倍以上的技術，顯然具有相當不錯的市場賣點，不過，旺宏何時能將此技術推到市場，目前仍未透露。