Ramtron發表業界第一款400萬位元的FRAM記憶體，此並為密度最高的FRAM產品，容量為既有FRAM記憶體的四倍。FM22L16採用44接腳、薄型小尺寸塑膠（TSOP）封裝的3V、4Mb並列式非揮發性RAM，具備高存取速度、幾乎無上限的讀/寫次數、以及低功耗等優點。以TI的130奈米CMOS製程為基礎，在標準CMOS 130奈米邏輯製程內嵌入非揮發性FRAM模組時，僅採用兩個額外的光罩步驟。

Ramtron新品發表會，業務副總裁Michael Hollabaugh居中(攝影/彥慧)

Ramtron全球資深業務副總裁Michael Hollabaugh表示，由於FRAM為新一代非揮發性記憶體，寫入速度快速（類似RAM而非FLASH），高耐久性，在系統中不易磨耗，因為運用鐵電記憶體運作模式，以電力控制記憶體，不需要高壓電，非常省電。

FRAM記憶體結合了揮發性DRAM的快速存取及低功耗特性、以及不需電源即可保存資料的功能。EEPROM和快閃記憶體等其他非揮發性記憶體，由於必需以多個光罩步驟、更長的寫入時間及更高功耗來寫入資料，因此不適宜嵌入式應用。此外，FRAM的儲存單元擁有尺寸小、及所增加光罩步驟最少之優點，針對嵌入式應用的FRAM可以低於SRAM的成本生產；FRAM功耗亦遠低於MRAM，並且已能針對汽車、測量、工業及運算領域提供商業化應用。

Michael Hollabaugh指出，Ramtron於亞太區域的產品銷售業績，從2001至2006年，年度成長率達99％，而主要動力來自公用電表、汽車及RAID控制器應用，近期擴展其於中國、香港、台灣及韓國的業務據點。而除了兼顧亞洲市場外，還在中國設立了參考設計中心，研究將FRAM與MCU包含在一起，可以減少界面傳輸上消耗的時間。