工商時報引述集邦科技統計指出，2003年12月全球DRAM總產出量維持小幅成長，其中美光（Micron）因製程良率獲得突破，12月份產出量成長率達18.3％。而集邦科技預估，由於日本、台灣DRAM廠在2003第4季均增加投片量，2004第1季全球DRAM產出量成長幅度將會轉大。

據集邦科技所公佈的統計數據，2003年12月全球DRAM產出約達2億9600萬顆256Mb約當顆粒，較11月份成長6左右％。由各廠商生產情況分析，美光因0.11微米製程良率改善，12月份產出量成長達18.3％，至於德國英飛凌、韓國三星、Hynix、日本爾必達（Elpida）、以及台灣三家DRAM廠等業者，月成長率則仍介於2％至5％之間。

市場分析師指出，2003年三星、Hynix、英飛凌等業者陸續調撥DRAM產能生產NAND晶片，造成2003年下半年DRAM產出量年成長率低於2成，明顯低於過去約3至4成的成長率。但包括力晶、茂德、爾必達等業者，2003年第4季12吋廠投片量已經快速拉升，力晶第4季月投片量已拉升至2萬2000片，茂德月投片量也拉升至1萬片以上。

分析師指出，因為新產能會在1月份開出，因此預估1月份DRAM產出量會有明顯成長，第1季全球DRAM產出成長率將會明顯放大，若市場需求復甦動能未能順利跟上，市場供給過剩現象恐會持續壓抑價格。