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ST將針對樣品試製用途提供45奈米CMOS製程技術
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2008年01月24日 星期四

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意法半導體(STMicroelectronics)與CMP (Circuits Multi Projects)共同宣佈,將提供由意法半導體所開發的45nm CMOS製程給樣品試製之用的廠商與單位。透過樣品製造與少量生產用途的IC代理商CMP,可向大學、研究機構以及企業提供用於新一代系統級晶片(SoC)的45nm CMOS製程。

另外,該兩公司還宣佈將面針對學術研究用途提供採用SOI底板的65nm CMOS製程。該製程也將透過CMP提供。意法半導體表示,採用SOI底板可以使LSI晶片的性能比採用Bulk底板時更高,還可以降低耗電量。該公司表示,目前已有100多家大學獲得了採用該公司Bulk底板的65nm CMOS製程設計規則和設計套件。

在此之前,曾有IBM、三星電子(Samsung)、英飛淩科技(Infineon)與特許半導體等四家廠商共同發表繪圖處理LSI晶片的45nm Bulk CMOS製程技術。該技術是透過改進應變矽技術,與源極、漏極活性化技術,獲得了柵長35nm的nMOS為1150μA/μm、以及柵長35nm的pMOS為785μA/μm(截止電流100nA/μm)的電流驅動性能,這是當時產業的最高水準。

關鍵字: CMOS  義法半導體(ST::半導體CMP 
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