全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory;NVM）技術中脫穎而出，並取代目前主流的SRAM，成為終極的通用型記憶體解決方案。

Aviza物理氣相沈積蝕刻化學氣相沈積業務行銷副總裁David Butler

有鑒於目前的Flash記憶體技術在耐用性與微型化的發展上困難重重，因此，多家業者早已著手研發新一代的NVM技術，包含相變記憶體(Phase-Change Memory;PCM)、FRAM與MRAM等，都是目前各家業者正積極研發的選項。其中MRAM在性能與市場接受度上都有較佳的表現，因此有可能成為未來市場的主流方案。

Aviza物理氣相沈積蝕刻化學氣相沈積業務行銷副總裁David Butler表示，目前市面上的記憶體產品在漏電問題和可架構（scalable）的性能上都不足，因此，市場開始尋求另一種新架構的記憶體技術，而這種新記憶體必須要滿足非揮發、讀取速度快、容易架構、低功耗以及無限存取次數的需求。而MRAM正具備這些特色。他指出，MRAM不管是在讀取速度、容量和耐用性上都非常突出，同時也具備了良好的設計彈性，很容易整合至CMOS的後端製程中。

Butler表示，由於MRAM具備非揮發的性能，很適合用作為必須依賴電池的SRAM的替代方案，包含手機、NB、DV、DSC、PDA等各式行動電子產品以及工業自動化產品，都有使用MRAM的空間。

Butler也指出，目前包含三星、海力士、新力、日立、瑞薩及NEC等多家主要的記憶體供應商，都已經具備MRAM的生產計畫，其中Everspin更已經有少量的產品量產。而台灣的台積電和工研院也已展開合作，並開發出了65奈米的MRAM產品。Butler並引用瑞薩的預測，認為MRAM有可能在2015年的時候，取代目前的DRAM。

但Butler也提到，目前MRAM在價格上仍高於Flash近5倍，因此在取代上仍不容易。但未來只要投入的製造商增加，同時在材料與設備上也更加普及，未來MRAM在市場上的競爭力會更強。

而為了因應MRAM市場的需求，Aviza也推出全球第一款的12吋晶圓級離子束沉積系統「StrantIon fxP」。該系統能改善傳統的磁性漸渡式的MRAM生產方式，大幅提高MRAM的性能。Butler表示，透過該系統的推出，將有助於業者增加MRAM的生產效能，並加速MRAM市場的成型。