英特爾運用65奈米(nm)製程技術生產70Mb靜態隨機存取記憶體(SRAM)晶片，內含超過5億個電晶體。該產品延續英特爾每兩年開發新製程技術的慣例，並符合摩爾定律的預測。新型65奈米製程技術所生產的電晶體內含的閘極(gates)僅有35奈米，較先前90奈米製程技術的閘極長度縮小達30%。100個新閘極接連排列的長度相當於一個人體紅血球內的直徑。

新製程技術可在晶片中嵌入更多的電晶體，奠定英特爾在未來推出多核心處理器的基礎，並在未來的產品中設計各種新功能，其中包括虛擬化(virtualization)以及安全(security)功能。英特爾的新型65nm製程技術亦包括許多省電與效能提升功能。

英特爾資深副總裁暨技術與製造事業群總經理周尚林(Sunlin Chou)表示，英特爾針對各種新材料、製程以及元件架構進行創新研發，藉此克服縮小尺寸(scaling)所帶來的各項挑戰。英特爾的65奈米技術將依規劃在2005年正式量產，延續摩爾定律帶來的優勢。英特爾於2003年11月宣布運用65奈米製程技術生產4Mb的SRAM。自此之後，該公司已在110 mm2的極小晶粒中生產全功能的70Mb SRAM。小型化的SRAM單元能在處理器中整合更大容量的快取記憶體，進一步提昇處理效能。每個SRAM記憶體單元都有6組電晶體，嵌入在0.57 µm2的空間中。1000萬個這麼小的電晶體，可擠在1平方毫米的空間中，其面積大約僅為一個原子筆的筆尖。

英特爾的應變型矽元件技術(strained silicon technology)首度應用在90奈米製程技術上，如今更針對65奈米技術進行改良。第二代英特爾應變型矽晶技術將電晶體效能提高10%至15%，且不會增加漏電率。與90奈米電晶體相較，這些電晶體將漏電率降低4倍，且維持相同的效能。因此，採用英特爾65奈米製程所生產的電晶體不僅提高效能，且不增加漏電率。

英特爾的65奈米電晶體將閘極長度縮小至35奈米，閘極氧化層的厚度僅1.2奈米，兩者相結合後創造出更高的效能以及更低的閘極電容。而降低閘極電容有助於降低晶片耗電率。新製程亦整合8組銅金屬互連層，並運用一種低介電係數材料(“low-k” dielectric material)，提高晶片內部訊號傳輸速度並降低晶片的耗電率。