因應當前晶片廠商正在運用微影技術將晶片縮小至3奈米和以下節點，但是導線越細，電阻便會以倍數增加，導致晶片效能降低，並增加耗電量。若放任佈線電阻的問題不管，先進電晶體的優勢可能會蕩然無存。應用材料公司今（30）日發表的新系統產品，則藉由新的電晶體佈線工程設計，大幅降低電阻，讓影響晶片效能與功率的重大瓶頸迎刃而解。

Endura Ioniq 物理氣相沉積系統是應用材料公司針對2D微縮的佈線電阻問題所開發的最新突破技術，在高真空環境下將表面處理與PVD和CVD製程整合在同一套系統。

應用材料公司表示，過去製作晶片時必須將佈線沉積到介電材料上的蝕刻導孔和溝槽，而傳統方法是使用金屬疊層進行沉積，以避免金屬與介電材料混合的阻障層、可增加附著力的襯墊層、幫助金屬填充的晶種層，以及電晶體接點所用的鎢或鈷和導線所用的銅等導電金屬。但由於阻障層與襯墊層的微縮效果不佳，所以當導孔和溝槽縮小時，導電金屬可用的空間比例也會降低，而佈線越小，電阻就越大。

這款由應用材料發表的的Endura Ioniq PVD系統，則屬於該公司整合性材料解決方案（Integrated Materials Solutions）產品之一，可在高真空環境下，將表面處理與物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）製程整合在同一套系統。透過Ioniq PVD系統，晶片廠商可以將使用氮化鈦製造的高電阻率襯墊層與阻障層，替換成使用PVD沉積的低電阻率鎢膜；並結合使用CVD沉積的鎢膜，形成純鎢的金屬接點，進而解決電阻問題，讓2D微縮技術持續應用在3nm和以下的節點。

應用材料公司資深副總裁暨半導體產品事業群總經理帕布‧若傑（Prabu Raja）進一步指出：「應用材料公司針對佈線電阻問題所開發的最新突破技術，證明創新的材料工程解決方案能夠延續2D微縮的發展。創新的Ioniq PVD系統產品解決了影響電晶體效能的重大瓶頸，不僅能提升運作速度，還能降低功率耗損。」隨著晶片複雜性與日俱增，在高真空環境中整合多項製程的能力日趨重要，Endura Ioniq PVD系統在佈線開創精進，幫助客戶達成效能與功耗目標，也已獲得全球多家領導大廠採用。