旺宏電子（Macronix）董事會昨日決議通過，將與IBM簽訂合約，繼續進行「相變化記憶體（PCM）」的合作開發。雙方將共同分擔研發費用，為期3年，合約計畫期間為明年1月22日至2022年1月21日。

2015年旺宏便與IBM共同發表了一顆使用90奈米製程容量為512Mb的相變化記憶體樣品。

而雙方合作的目標，就是要持續研發所謂「存儲級記憶體（Storage Class Memory）」的技術。

儲存級記憶體技術是IBM在2008年所提出，它是一種在DRAM和NAND Flash SSD之間的新記憶體，能進一步提升電腦的處理效能。

旺宏電子曾在《奈米通訊》裡指出，儲存級記憶體有兩種形式，一種是偏DRAM，稱之為記憶型式存儲級記憶體（Memory Type Storage Class Memory），這種形式會跟DRAM一起工作，DRAM可將資料先行儲存在記憶型式存儲級記憶體，以解決DRAM不具有揮發性的問題。

另一種形式則是比較偏向固態硬碟，是取代目前的固態硬碟，其名稱為儲存型式存儲級記憶體（Storage Type Storage Class Memory），但這種形式的記憶容量要追上目前以NAND為基礎的固態硬碟已是不太可能。

也因此，旺宏電子希望發展的產品應用，便是記憶形式的儲存級記憶體。

在目前的前瞻記憶體技術裡，包含磁性記憶體（MRAM）、相變化記憶體（PCM）、電阻式記憶體（RRAM）等。旺宏則是看好PCM的應用潛力，並與IBM合作，共同研發相關的技術。

2014年時，IBM就在國際電子元件會議（Internationlectron Device Meeting）中，提出了PCM具有做為儲存式記憶體具的潛力。

隔年，2015年的超大型積體技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）上，旺宏便與IBM共同發表了一顆使用90奈米製程容量為512Mb的相變化記憶體樣品。

旺宏指出，降低成本是發展PCM的最大挑戰，但多值化操作將可以有效的降低成本。此外，多值化操作也可使記憶體的記憶容量大幅提升，但記憶體的元件效能將會有所減損。不過使用目前製程技術的樣品已展現極佳的性能，看好PCM有機會做為存儲級記憶體的應用。