應用材料公司宣佈取得美國專利商標局第6,287,990號與第6,303,523兩項專利授權，範圍涵蓋運用於介質化學氣相沉積薄膜技術的先進低介電材料，將可增加下一世代晶片的速度及工作效能。截至今日，應用材料已取得超過十五種以上與化學氣相沉積低介電材料相關的專利，更加展現應用材料在此重要策略技術領域更具有威力強大的專利技術能力。

應用材料公司副總裁暨介電系統與模組產品事業總經理法哈‧莫葛丹（Farhad Moghadam）博士表示：「新取得的專利授權涵蓋應用材料部分與低介電薄膜相關的重要智慧財產權，將可提供客戶最創新的技術，以滿足他們對下一世代晶片設計的需求，同時保護我們特有的Black Diamond技術，進而展現我們的市場領導地位。」

應用材料在2001年9月與10月取得美國專利商標局的兩項專利，其核心技術為應用材料的Black Diamond技術，是有機矽酸玻璃低介電材料的產品系列。Black Diamond技術自1998年11月推出後，已可讓晶片製造商在成本效率的考量下，整合低介電材料（k< 3.0）運用於傳統化學氣相沉積設備與矽晶材料；並搭配應用材料的BLOk介質化學氣相沉積阻障層與蝕刻中止薄膜，進一步地降低晶片導線結構的總介電常數值。

應用材料的Black Diamond技術已獲得全球業者廣泛的認同，目前已有17家晶片製造商利用此技術發展新的應用。Black Diamond技術第一代薄膜是以0.13～0.10微米元件為目標，為現階段業界最具有量產價值的低介電材料；這項技術展現出獨特能力，可用於八層銅導線的任何一層。預計在2002年，利用Black Diamond沉積技術的產品將正式上市。