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傳製程有缺陷 三星68奈米DDR2晶片遭退貨
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2008年06月22日 星期日

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有消息指稱,繼海力士66奈米製程的DRAM生產出現問題後,使用68奈米製程的三星DRAM也在日前傳出有技術缺陷,並導致8000萬顆1GB的DDR2晶片被客戶退貨。

據報導,在今年4月時,海力士半導體的66奈米製程因生產良率不高的問題,而導致大批的1GB DDR2晶圓報廢。而三星也再日前傳出產生同樣的問題。消息指出,目前三星已有8000萬顆有瑕疵的1GB DDR2晶片被OEM廠商給退回。

對此,已有部分的下游廠商感到憂心,因為如果以較低的價格傾銷到市場上,屆時將導致市場價格產生劇烈影響。但截至目前為止,三星並未做出正式的聲明,也未提出具體的解決方案。

關鍵字: 海力士(Hynix三星(Samsung動態隨機存取記憶體 
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