SSD近來在行動市場相當受到歡迎，平均售價也持續下降，讓這種快速存取且低功耗的儲存裝置成長力道強勁。不過，現在市售的SSD仍存在一些技術問題，例如裝置內的DRAM可能因斷電而流失資料，因而新世代的技術仍在發展中。《日本經濟新聞》評論稱一兩年之內SSD產業將迎來另一次革命。日前日本廠商Buffalo開發出的採用MRAM做緩存的SSD，正是一個轉折性的發展方向。

MRAM架構示意圖 BigPic:1023x799

相較於揮發性記憶體的DRAM，非揮發性記憶體的MRAM在失去電源供應時仍能儲存資料，使其可以完全替代DRAM+超級電容器在工業級SSD當中的位置。另外，MRAM的最大優點為它可以根據系統狀況隨時切換開/關狀態，使得SSD整體功耗降低20-50%。

目前MRAM材料的主要缺點為製造成本仍然十分高昂，主要面向工業級產品。但其改進型STT-MRAM提供了向消費性市場發展的機會，這是由三星(Samsung)和海力士(Hynix)兩大記憶體廠自2008年開始合作開發的技術。比起傳統的MRAM，耗電量更少、成本較低的STT-MRAM更適合消費性電子產品使用。預計今年年底STT-MRAM將開始受到採用，明、後年是消費類產品用STT-MRAM被推向商業化的時機。