英飞凌科技与中芯国际积体电路制造（上海）公司（SMIC），日前正式宣布双方签订协定，进一步合作生?标准记忆体晶片（DRAM）。根据协定的补充条款，英飞凌将转移0.11微米的DRAM沟槽技术和12吋晶圆的专业知识予中芯国际，而中芯将以此技术专为Infineon制造产品。

英飞凌科技表示，此代工协议将提升英飞凌的整体?能。中芯国际目前正在北京兴建的12吋晶圆厂，将?英飞凌提供每月约15,000片以上的产能。 2002年12月，双方签订的技术转移协定中表明，中芯国际可使用英飞凌的0.14微米DRAM沟槽式技术，于其上海的8吋晶圆厂，专?英飞凌生?记忆体晶片。随着中芯国际北京12吋晶圆厂进程的推进，其15,000片的月产能，加上8吋晶圆厂20,000片的月产能，使其总产能达到相当于58,000片的8吋晶圆产能。新建的12吋晶圆厂预计将于2004年夏天制造出第一批?品。

英飞凌记忆体事业部执行长Harald Eggers博士表示︰「藉由扩大与中芯国际的合作，英飞凌在不须投资生产设备的情况下，便可拓展记忆体产品业务。并且，英飞凌能借此提高在中国市场的市占率，成?亚太地区的半导体领导厂商。」

中芯国际总裁暨执行长张汝京博士表示︰「我们很荣幸能够拓展与英飞凌的合作关系，随着半导体业委外代工比重的不断扩大，中芯国际高品质的代工服务将?双方开创双赢局面。」

英飞凌并且指出，此次合作不仅进一步巩固英飞凌?全球第三大DRAM制造商的地位，并使其成?中国市场主要的半导体供应商。根据Gartner Dataquest的预测，中国半导体市场规模将从2002年的160亿美金，成长到2006年310亿美金左右。