华邦电子将于2007年9月5日至9月8日参加由台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA），商务部外贸发展事务局及杭州市人民政府共同举办的中国杭州电子信息博览会，于此会中将展出华邦两大系列行动内存产品－低功耗易失存储器及虚拟静态内存。

手机的功能日新月异，新的功能陆续的推出，如彩色图片浏览、JAVA游戏下载、数字相机模块搭载...，使得手机的内存中的RAM Buffer需要量大增。为因应大量低功耗内存之需要，华邦推出两大系列行动内存产品－低功耗易失存储器及虚拟静态内存。

近年来手机市场成长的主要动力，除了新一代3G传输标准之兴起，行动商务化平台的运转，及诸多影音多媒体技术的发展下，大大带动了中高阶机种换机潮的兴起。为因应高效率高容量之内存需求，2007年将陆续推出符合JEDEC标准低功耗易失存储器（Low Power DRAM）规格之产品，产品含盖128 Mb～512 Mb。本次2007中国杭州国际电子信息博览会所展出即为一系列容量512Mb之Low Power DRAM。

虚拟静态内存（Pseudo SRAM）采取传统DRAM为核心；接口则设计与传统SRAM兼容的架构。另外Pseudo SRAM设计了一个on-chip refresh circuit来解决DRAM cell之Refresh，以增加读取速度并降低用户在设计上的困扰。产品完整含盖16Mb～256Mb；本次所展出之256Mb PSRAM为现今市场上容量最大之PSRAM之一（符合CellularRAM 2.0G之标准）；除领先同业之外，与主要系统供货商建立更进一步的合作关系。

华邦电子公司于（6月27日）宣布与德国奇梦达公司（Qimonda AG）签订75奈米与58奈米沟槽式DRAM制程技术移转及产能合作协议，具体展现华邦不断运用先进制程技术，提升自有产品在全球市场的竞争力，及强化与国际大厂实质合作的伙伴关系。一方面华邦持续提供奇梦达高质量的标准型DRAM产品晶圆代工服务，另则华邦可以发展行动内存等利基型产品，经营自有品牌产销。

未来华邦将可应用58奈米制程技术，开发Low Power SDRAM、Pseudo SRAM、消费电子产品DRAM等利基型内存产品，以满足行动通讯市场多元及快速成长的需求。