新思科技16日宣布，NEC微电子股份有限公司己经将新思科技的Star－RCXT整合至其九十奈米、CB－90的设计流程当中。 Star－RCXT拥有业界内第一个支持先进铜制程的功能，它使得NEC微电子在从事九十奈米制程的设计时，能够满足时序与讯号完整性所需，而达到签程精确度的目标．Star－RCXT是新思科技Galaxy设计平台中一项主要的设计工具，它为广大的制程技术与设计方式提供芯片建造以及具备签程精确度的实体电路汲取功能．

新思科技表示，NEC微电子的CB－90 ASIC设计平台采用最先进的大型系统半导体集成电路制程技术，支持的时钟速率高达十亿赫兹（1 GHz），且可以容纳高达一亿个可用逻辑闸．CB－90为新世代低功率、高效能应用产品的ASIC组件，例如寛频通讯配备、高速运算暨储存系统、与行动运算装置，提供尖端的制程技术。

NEC基础技术发展部门，高阶设计技术发展小组的部经理，Toshiyuki Saito表示，「对于使用CB－90流程的设计，针对先进精密的铜制程特性，为了实体寄生电路的汲取，我们需要大量的技术支持，针对我们九十奈米的逻辑组件设计，我们选择新思科技做为合作发展的伙伴，提供我们具标准签程精准度的实体电路汲取工具，因为新思科技的Star－RCXT所提供的高效能与生产力，可以符合我们的需求．Star－RCXT也可以针对我们的RC模型技术方式，提供高度的精准性．」

NEC微电子与新思科技，为CB－90的精密铜制程特性共同合作，以改善Star－RCXT的先进绕线模型技术，这项技术包含绕线间隔、线?与金属密度相关的绕线电阻及电容的计算．在九十奈米设计当中，仿真铜线绕线?度与厚度变异的精密模型，对于需要高精准的时序与讯号整合签程分析是不可或缺的要素．

新思科技芯片制造部门的资深副总暨总经理，Antun Domic表示，「我们与主要的半导体厂商合作，确保Star－RCXT能够持续满足先进制程技术的挑战，为了先进的九十奈米制程技术，NEC微电子采用Star－RCXT，这更进一步证实了我们对于业界先进技术的研究与发展，满足了客户们最不可或缺的需要．」