先进集成电路设计的厂商－新思科技，和半导体制造大厂，联华电子（UMC），20日宣布将共同开发一组测试芯片，用来研究设计芯片在面临联电0.13微米Fusion制程技术时的讯号整合效应．这颗名为ATG－SI的测试芯片，内含研究多重超越电压，电感效应和设计模块萃取的测试架构．这颗芯片也测试其它讯号整合方面的相关效应，包含影响现今高效能系统单芯片之性能和可靠度的交互雷容和噪声分析．新思科技和联电双方都承诺将着重于满足将来以0.13微米及以下铜制程量产芯片的数字、模拟、射频和混合讯号设计工程师的需要．

新思科技先进科技团队副总裁Don MacMillen表示，「分析和解决系统单芯片的讯号整合问题是在深次微米科技里众多困难工作当中的一环，新思科技和联电将分享彼此的分析数据，新思也将运用这些分析结果来开发EDA工具的分析和仿真解决方案，联电也可以因此更容易提供他们的深次微米制程技术给现今最有经验的设计工程师。」

新思表示，利用联电0.13微米Fusion的制程技术，ATG－SI这项多功能的测试芯片，可以用来计算出顶层厚铜导绕线全区讯号排的交互电感数据，而这项铜导制程则是运用标准趋动接收组和全区差动讯号的技术．测试芯片中包含相互交感电容试验的延伸矩阵，用来探讨在整体时序路线中，对侵略讯号和感应讯号在切换边缘间时序差异的影响．这颗芯片也比较两个拥有相同功能区块间的时序，漏电流和切换电流：这两个区块中，一个是以低超越电压的组件所组合而成，另外一个则是利用低超越和高超越电压的双重组件来完成高阶合成的工作．当设计工程师摒弃低超越电压组件库而采用高超越电压组件库时，他们很满意这颗芯片在低漏电功率方面上的表现．它允许设计工程师达到比较仿真效应和真实结果的目的，以在芯片性能与漏电功率之间做取舍．

联电总经理及中央研究暨发展部门的首长Frank Wen表示，「身为一个先进制程发展和制造的领导厂商，联电将持续寻求方法，务使极度复杂和精密的芯片制造更趋容易。与新思科技结盟，提供讯号整合技术，将非常有助于我们彼此共同的客户朝0.13微米及以下的制程方向发展．因此，我们十分期盼能够将于测试芯片中所得到的数据，运用在我们的制程技术当中。」