应用材料公司宣布取得美国专利商标局第6,287,990号与第6,303,523两项专利授权，范围涵盖运用于介质化学气相沉积薄膜技术的先进低介电材料，将可增加下一世代芯片的速度及工作效能。截至今日，应用材料已取得超过十五种以上与化学气相沉积低介电材料相关的专利，更加展现应用材料在此重要策略技术领域更具有威力强大的专利技术能力。

应用材料公司副总裁暨介电系统与模块产品事业总经理法哈‧莫葛丹（Farhad Moghadam）博士表示：「新取得的专利授权涵盖应用材料部分与低介电薄膜相关的重要知识产权，将可提供客户最创新的技术，以满足他们对下一世代芯片设计的需求，同时保护我们特有的Black Diamond技术，进而展现我们的市场领导地位。」

应用材料在2001年9月与10月取得美国专利商标局的两项专利，其核心技术为应用材料的Black Diamond技术，是有机硅酸玻璃低介电材料的产品系列。Black Diamond技术自1998年11月推出后，已可让芯片制造商在成本效率的考虑下，整合低介电材料（k

应用材料的Black Diamond技术已获得全球业者广泛的认同，目前已有17家芯片制造商利用此技术发展新的应用。Black Diamond技术第一代薄膜是以0.13～0.10微米组件为目标，为现阶段业界最具有量产价值的低介电材料；这项技术展现出独特能力，可用于八层铜导线的任何一层。预计在2002年，利用Black Diamond沉积技术的产品将正式上市。