瑞萨科技与Grandis, Inc.同意共同合作发展采用自旋转移写入技术的65nm处理MRAM（磁性随机内存）。瑞萨科技将在不久的未来，开始出货采用65 nm 制程 STT-RAMTM 的微控制器和SoC产品。

瑞萨科技生产和科技部的常务副总经理西村正表示：「我们目前正采用高速和高可靠性的传统磁场写入科技3，来发展MRAM科技。我们希望在具有芯片内存的微控制器和SoC装置等产品中使用此项科技。然而，在需要减少写入不稳定性和较低的电源需求因素下，我们认为自旋转移写入科技更适合未来使用超威制程来制造的MRAM。Grandis拥有世界级的自旋转移技术。藉由融合Grandis的技术和瑞萨的制程，我们将能发展结合高效能和绝佳可靠性的通用内存；我们对此感到相当有信心。」

Grandis, Inc. 的总裁William Almon表示：「多年来，Grandis都是自旋转移科技的领导者。我们是这项技术的先锋，因为我们是第一家采用自旋转移技术到MRAM记忆格结构的厂商。藉由将自旋转移技术效能达到最大化后，我们可以将其提升到与现今LSI装置结合的程度。我们期待与瑞萨合作，将技术应用至LSI设备上，以扩展Grandis的商机。」