根据大陆媒体报导指出，IBM和史丹福大学宣布，双方将进一步合作深入研究自旋电子学（spintronics），这种技术未来可望让让高速数字相机及计算机在通电时便能立即运作。

自旋电子学的原理是由薄膜上发射的磁场进行精确控制，让磁场产生电阻，电阻的高值和低值即分为一或零。透过控制磁场和对薄膜不同点上的电阻层次进行分析，研究者可以得出数据。自旋电子学已诞生数年，以IBM生产的磁盘驱动器磁头为例，该技术在1997年即利用了自旋电子学原理，采用巨型磁阻抗技术（GMR）。

找到一种能替代闪存的储存方法是半导体市场的一项急切任务。闪存被大量应用在手机、数字相机与其他设备的储存卡上，因此其市场需求正在急速增长。 然而，支撑闪存的基础技术难以突破，几乎所有主要制造商都在研究新的替代方案。磁性随机存取内存（MRAM)将成为自旋电子学整合应用的下一个领域。在理论上，MRAM可储存相当大数量的数据，消耗很少电力，其运行速度要比普通闪存快的多，而且可以永久保存。

据相关评论人士指出，MRAM距离实际替代闪存还有很长的路要走，IBM必须证明MRAM可以在技术上低成本地大量生产。Intel也指出，MRAM的单片体积过大，因此难于插入数字相机这类小型设备。