日本经济新闻报导，包括英特尔、东芝、德仪、台积电等八家全球半导体大厂已与美国史丹佛大学共组研究团队，将对次世代半导体技术作更进一步研发，预计在未来三年内完成基础技术奠定的工作，并在2012年前将新技术商品化。

该报导指出，目前半导体标准制程约为130奈米（0.13微米），此次的产学联合研究计划，预计在2012年完成32～45奈米制程技术研究。若此一先进制程开发获致成功，将可把现今内存容量提高30倍以上，即约32G位，不仅能够以一颗IC记录100分钟左右的电影，IC晶体管的指令周期也可增加四倍。

该研究计划主持人将由曾任德仪资深副总裁的史丹佛大学电机系教授西义雄（Yoshio Nishi）担任，参与的成员除了英特尔、东芝、德仪、台积电、东京电子等业者，还包括史丹佛大学多位教授。预估研究经费为四亿日圆，由参与的企业分摊。

针对此一消息，工商时报引述台积电补充说明表示，由于该计划主持人西义雄曾主导之Gate Stack（堆栈闸）之研究计划，为台积电赞助之先进技术开发计划之一，且台积电多位高层与西义雄私交甚笃，因此邀请台积电共同加入此一开发计划。