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台积电完成0.10微米制程基础模块设计新里程碑
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2001年04月18日 星期三

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台积电18日宣布,该公司在先进制程技术的开发上又获得两项重要成果,其一是在十二吋晶圆制造方面,台积电领先业界率先使用0.13微米制程技术成功试产出十二吋晶圆的4Mb SRAM测试芯片。台积电并预计在今年四月起,使用0.13微米、十二吋晶圆制程技术为客户试产芯片。此外,台积电已经完成0.10微米制程技术的基础模块(basic modules)设计,并且在新技术的开发及布局上,未来将更有弹性地与不同技术领域领先的客户进行策略联盟,统合0.10微米制程技术的设计准则,期能同时提高客户与台积电的竞争力。

台积电总经理曾繁城表示,台积电一向致力于提供客户最先进、最完备的制程技术与服务,台积电在十二吋晶圆制造技术以及下一世代0.10微米制程的卓越表现,不仅能进一步提升客户的竞争优势,更再一次确立了台积电在全球晶圆专业制造服务业界的领导地位。他同时表示,未来在新技术的开发及布局上,台积电将更有弹性地与不同技术领域领先的客户进行策略联盟,共同进行0.10微米制程技术的制程整合,在IDM公司逐步加重委外生产的趋势下,将更能同时提高客户与台积电的竞争力。

  

關鍵字: 台積電  曾繁城 
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