晶圆大厂台积电宣布与摩托罗拉（Motorola）半导体部门所独立之飞思卡尔半导体（Freescale Semiconducto）签订合作协议，双方将共同研发新一代绝缘层上覆硅（silicon-on-insulator；SOI）芯片的前段制程技术，并以开发65奈米的CMOS制程为目标。而Freescale也同时授权台积电采用其90奈米绝缘层上覆硅技术制造产品。

据了解，台积电和Freescale各自在SOI技术领域有多年的发展经验，Freescale自1980年代中期起迄今，已成功开发出三代的SOI技术，并于2001年开始生产相关产品，出货量超过700万颗，目前更在美国德州奥斯汀的Dan Noble Center建立90奈米CMOS SOI技术的平台，以生产新一代的高效能网络传输与运算产品。台积电则是自1990年代后期起从0.13微米制程开始自行开发SOI技术，并在SRAM电路元的开发上有所成绩。

台积电表示，该公司与Freescale透过此项合作计划共同开发65奈米SOI前段技术，将可加速相关产品的上市时程，并拓展此技术在不同市场的创新应用。同时双方将各自针对其客户不同的应用，发展相关后段金属化的制造技术。

其中台积电将台湾的12吋晶圆厂为其客户提供制造服务，用以生产讲求快速及高效能的网络传输与运算等相关产品，此外也将开发低耗电的制程，以提供可携式电子产品更多的应用选择。Freescale则计划将此项技术移转到该公司与飞利浦（Philips）及意法半导体（ST）所合作的法国Crolles2 研发及试产基地。