台积电副总执行长曾繁城参与「奈米国家型科技计划成果发表会」时表示，奈米科技被视为下一代最具爆发力的商品，但要挑战奈米极限，开发新的电子材料、新的奈米级内存等，曾繁城并在发表会中介绍目前台积电在奈米技术上的发展现况，其一是延续CMOS制程的奈米电子。曾繁城表示，台积电在2004年可完成30奈米闸极信道（gatelength）的SOI晶体管（transistor）、SRAM，也可以利用30奈米闸极信道将CMOS晶体管缩短到5奈米的大小。

台积电另一项令各界瞩目的奈米研究是与工研院电子所合作开发的磁性内存（MRAM），此种新型内存可以集合目前DRAM、SRAM和Flash三者的优点，目标是明年可以和世界一流大厂同步量产。

据了解，目前我国的国家型奈米科技计划预定时程为六年，总计经费有6.3亿美元，其中有62％将投入发展奈米工业，21％的经费用于学术研究，16％的经费用于购置研发设备，并有1％的经费用于人才培训。