据外电消息，中国大陆最大晶圆代工业者中芯国际表示，该公司已经导入0.11微米制程为英飞凌（Infineon）生产DDRⅡ芯片；中芯并且表示，在不久后可望以0.10微米制程，为另一技术合作伙伴尔必达（Elpida）打造DDRⅡ芯片。此外中芯自行研发的90奈米制程则计划在2005年底进入量产阶段。

中芯自创立以来即与多家国际大厂策略联盟，藉以在最短时间内获取技术资源和订单挹注，而其中英飞凌和尔必达更为中芯两大重要技术合作伙伴。中芯执行张汝京曾于2004年9月该公司北京首座12吋晶圆厂Fab 4启用时表示，该厂产能已被英飞凌、尔必达等3家客户包下，Fab 4将进入试产阶段，初期将以0.11、0.10微米制程生产DRAM。

中芯投资关系部门主管Jimmy Lai表示，该公司已在英飞凌的技术协助下导入0.11微米制程，并且于3月中旬通过英飞凌认证，将在Fab 4为其生产DDRⅡ芯片；且由于该制程由英飞凌研发，并不能用于中芯其他代工客户。

此外，Lai亦指出，Fab 4第二条生产线将与日厂尔必达合作，在不久的将来以0.10微米制程为尔必达生产DDRⅡ产品，预计认证工作将在第二季（Q2）结束以前完成并立即投入量产。至于中芯自行研发生产逻辑IC所需90奈米制程的进度则略微落后，可望在2005年底进入商业量产阶段。