为因应DDRII规格内存即将成为市场主流，DRAM厂为抢攻市场占有率，纷纷计划推出新产品，且因DDRII封装与测试制程皆与上一世代不同，各家DRAM厂也与后段封测厂进行技术合作，包括南亚科与裕沛、茂德与南茂、力晶与力成。

据了解，英特尔第二季将推出支持DDRII规格的新款芯片组Grantsdale，为因应可能将大幅成长的市场需求，国DRAM厂今年除了加快导入高阶制程，也对芯片后段封测技术配合加紧脚步。DDRII封装技术必须由传统的TSOP升级至高阶BGA或CSP封装，而由于新封测制程需要投入大笔资金，为节省成本，DRAM厂商采取寻找封测代工的方式，来进军新世代产品市场。

南科目前DDRII产品已在英特尔最后认证阶段，第二季后段可以顺利上市，在后段合作封测厂部份，除了同属于台塑集团的福懋科技外，也与裕沛合作采用WLCSP封装技术，南亚科认为这将可以降低封测成本。市场法人则认为，对于12吋厂尚未量产的南亚科来说，积极布局次世代DDR-II是其唯一保持领先的方法。

DDRII产品亦已送至英特尔认证的茂德，12吋厂采用0.11微米制程试产DDRⅡ内存，目前已达送样阶段。该公司计划在第四季将0.11微米制程产量提升到产出的13％，并与南茂在后段封测紧密合作。力晶则是与力成合作，由力成开发适用于12吋晶圆的封装与测试技术，目前BGA技术已进入量产阶段，可望协助力晶快速切入市场。