据外电报导，全球第三大晶片供应商意法（STMicroelectronics），宣布已成功开发可激光（Light Emitting）矽技术，该技术可应用于更高阶的处理器、车用零组件或是光纤数据传输系统。

意法指出，该公司开发出来的技术，可使可激光矽的效率提升约100倍，几乎可与传统的砷化镓等可激光二极体材料相抗衡。意法预计在2002年底前即可有相关产品上市。

意法研发人员提高可激光矽亮度的方法，是在矽晶圆上植入铒（Erbium）及钸（Cerium）离子，而由于植入元素的不同，激发出来的光谱也会因此出现差异。

意法开发此技术的主要目的，是希望以光来控制晶片内的时脉；以往晶片内的时脉是透过电路传送脉冲讯号，在晶片体积增加、讯号路径拉长的情况下，时脉讯号也会出现延迟。

此一技术将率先使用于电力控制装置上，以往的电力控制电路与电力交换装置的连接是靠外部零组件，在采用新技术后可省下大笔成本。而未来意法也打算将此一技术应用在更多不同用途的晶片上。