NAND闪存市场供不应求，东芝去年四月宣布兴建的12吋NAND闪存厂，即将在2月21日于日本四日市正式开工；据了解，东芝也决定将12吋厂的NAND芯片后段封测订单交予台湾封测厂力成代工，预计六月起就会开始释出订单。

据东芝公布数据，该新12吋厂今年下半年就开始以90奈米制程投片生产4Gb以上高容量NAND芯片，初期将以1万片月产能投片，今年底应可拉高至2万片水平，明年中旬应可顺利达成3万7500片的满载产能。此外，为了因应竞争对手三星电子开始以70奈米量产8Gb NAND芯片，东芝也将在新厂中调拨部份产能，直接以70奈米生产8Gb NAND芯片。

NAND芯片供货商全力冲刺高容量芯片，也为国内存储器测试厂带来庞大商机。据设备业者指出，由于NAND芯片跨入70奈米以下后，测试时间要拉长至少60％，容量由4Gb扩大至8Gb，测试时间也要拉长60％，因此随着上游三星、东芝、SanDisk等开始以70奈米新制程投产8Gb芯片，委外代工测试时间将拉长2.56倍，对下游封测代工厂力成、硅品等协力业者来说，是获利前景极为乐观的一年。