据业界消息，NAND型闪存（Flash）价格竞争激烈，内存业者为降低成本，将以奈米制程全面迎战；市场龙头大厂三星即宣布已成功开发出63奈米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上，将再进一步压低芯片价格，三星预估NAND Flash芯片价格2005年至少要再跌四成。

据了解，三星宣示2005年将透过调降价格、拉高芯片容量等方式，扩大在NAND Flash市场占有率，并藉此将NAND Flash市场做大。而为降低成本因应价格竞争，所以三星本季起开始导入70奈米技术生产4Gb及8Gb芯片，并宣布成功研发出63奈米的8Gb NAND生产技术，至于东芝、美光、Hynix、英飞凌、瑞萨（Renesas）等供货商，本季起也全面性以90奈米投产NAND Flash。

而随着投入厂商众多与制程微缩带来的产能提升，在市场需求成长速度不如供给量成长速度的压力下，将再进一步压低NAND Flash价格。目前主流2GbNAND Flash芯片现货价约16美元，市场预估至2005年中应会跌至13美元左右，至于4Gb NAND芯片价位现在约32美元，至年中应会跌至26美元。至于三星现阶段则预估，NAND均价今年至少要再跌四成。