工商时报报导，虽然韩国三星电子大举将DRAM产能转至生产NAND芯片，但仍维持DRAM总产出量不变或小幅成长，但根据集邦科技统计，2003年三星及Hynix加计DRAM总产出仍逐月成长。由此可见，三星DRAM产能转换至NAND芯片的产能排挤效应并不明显。

该报导指出，由于NAND芯片价格与毛利远高过同容量的DRAM，三星自今年第2季起便开始转拨DRAM产能，改而生产NAND芯片，根据市场调查机构iSuppli调查，三星至年底时可望转拨约2座8吋厂及半座12吋厂的DRAM产能去生产NAND芯片，估算月产能合计达10万片至15万片8吋晶圆，占三星总产能约3成至4成。

三星积极转拨能生产NAND芯片动作大，市场原本预期DRAM总供给量将减少，有助于DRAM价格回稳或上涨。不过根据集邦科技最新统计，11月韩国地区DRAM总产出量达1亿2100万颗256Mb约当颗粒，并没有较10月份少。外资分析师表示，三星下半年NAND芯片产能不断开出，但因为三星领先同业导入0.11微米制程量产DRAM，单片晶圆产出较同业多出35％至45％，恰巧补上转拨生产NAND芯片的产能缺口。

分析师指出，以目前三星产出状况来看，NAND芯片并没有排挤掉DRAM产出量，只是让三星DRAM今年位成长率（bit growth）由原订50％降至30％而已。而全球日本尔必达（Elpida）、台湾南亚科、力晶、茂德等DRAM厂新产能又不断开出，所以市场希望透过三星减产效应，来压抑DRAM供给量成长，进而拉抬价格上扬的梦可说已破灭。