国内多家砷化镓(GaAs)厂都已投入光通讯组件的开发，其中尤以拥有MOCVD设备的砷化镓磊晶厂最为踊跃，包括全新、博达、胜阳、华森、连威与国联都已逐步调低原来在无线通信HBT芯片或高亮度LED产品的生产比重，转型开发应用在光主动组件上的雷射二极管(LD)，以因应未来光纤通讯产业美好的发展前景，

目前砷化镓磊晶厂都是以垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)作为投入光通讯产业的试金石，除了其具备有优秀的价格与性能比(Price-to-performance Ratio)外，VCSEL目前主要材料为砷化镓，在设备投资上也是以MOCVD制程设备为主，也比较适合过去以无线通信HBT芯片，或高亮度LED为产品主力的砷化镓磊晶厂进行转型。

目前胜阳已研发出国内首片八五○nm的VCSEL磊芯片，预计七月份会有一三一○nm的 F-P雷射(边射型雷射)磊芯片出炉，而国联、全新、连威与博达今年底也陆续会有VCSEL产品亮相。从各家公司所规划的产品蓝图可发现，技术层次更高，甚至必须采用磷化铟(InP)作为材料的一三一○ nm(奈米)VCSEL磊芯片将是下一步共同的开发目标。除了应用在光收发器(Transceiver)上的雷射二极管(包括VCSEL与F-P雷射)外，开发光放大器(Ampifier)用帮浦雷射，则是国内砷化镓磊晶厂另一个光通讯组件产品方向。

去年以来全球手机市场成长力道减弱，加上国内竞争者众，导致无线通信HBT芯片或高亮度LED的价格滑落迅速，反观光通讯组件产业虽有库存严重情形，但其中光主动组件(含光收发器与光放大器)部份，在市场上仍是炙手可热。