ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度发挥GaN等高速开关元件的性能。近年来，GaN元件因具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN元件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。

ROHM确立可更大程度发挥GaN元件性能的「超高速驱动控制」IC技术

在此背景下，ROHM进一步改善了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术「Nano Pulse Control」，成功将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界最高水准。透过将该技术应用在控制IC中，又成功确立了可更大程度发挥GaN元件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，ROHM正在积极将应用该技术的控制IC产品化，计画在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC/DC控制器的样品。与ROHM的GaN元件「EcoGaN系列」结合後，将会为基地台、资料中心、FA装置和无人机等众多应用实现高度节能和小型化。今後ROHM将继续以擅长的类比技术为中心，积极开发可有效解决社会课题的产品。

日本大阪大学研究所工学研究科森勇介教授表示：「多年来，GaN以能够实现节能的功率半导体材料之姿备受期待，但这种材料在品质和成本方面还存在诸多课题。因此，ROHM建立了高可靠性GaN元件的量产体系，并积极开发能够更大程度发挥GaN元件性能的控制IC产品。这对於促进GaN元件的普及而言，可以说是非常重要的一大步。要想真正发挥出功率半导体的性能，就需要将晶圆、元件、控制IC、模组等各项技术有系统地加以整合。在这个方面，日本有包括ROHM在内众多极具影响力的企业。从我们正在研究的GaN-on-GaN晶圆技术到ROHM正在研究的元件、控制IC和模组，需要整个国家通力合作，为实现无碳社会有所贡献。」

在追求电源电路小型化时，需要透过高频开关来缩小周边元件的尺寸，这就需要能够充分发挥GaN等高速开关元件驱动性能的控制IC。这一次为了实现包含周边元件的解决方案，ROHM确立了非常适合GaN元件的超高速驱动控制IC技术，该技术中还融入了ROHM引以为傲的类比电源技术「Nano Pulse Control」。

该技术采用了在ROHM的垂直整合生产体制下，融合电路设计、制程和电路布线三大类比技术而实现的「Nano Pulse Control」技术。透过ROHM独家电路结构，将控制IC的最小控制脉冲宽度由以往的9ns大幅提升至2ns，使48V和24V为主的应用，仅需1颗电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换工作（从最高60V到0.6V）。

该技术非常适合与GaN元件结合，实现高频开关，助力周边元件小型化，与采用该技术的DC/DC控制器IC（开发中）和采用EcoGaN技术的电源电路进行比较时，後者的安装面积比起采用市场竞品可减少86%。