账号：
密码：
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
RFMD完成第一代氮化镓制程技术资格审核
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年11月22日 星期四
浏览人次：【9774】
RF Micro Devices宣布已完成第一代48V氮化镓（GaN）制程技术之技术资格审核。该公司发挥其既有的制造资产及于高量能复合式半导体设计与制造的经验证专业，提供其新GaN制程之绝佳热及RF效能。RFMD并已于多重终端市场中，开始对客户进行48V GaN技术的小批量出货。
...
...
另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般使用者 10/ごとに 30 日間 0/ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 25/ごとに 30 日間 付费下载

關鍵字： RFMD 
相关新闻
‧ RFMD发表RF高功能整合之新致能技术
‧ RFMD发表MEMS技术
‧ RFMD出货第一亿个POLARIS RF解决方案
‧ RFMD完成对Sirenza Microdevices之合并
‧ RFMD成立多重市场产品事业群
相关讨论
  相关文章
» SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» STM32MP25系列MPU加速边缘AI应用发展 开启嵌入式智慧新时代
» STM32 MCU产品线再添新成员 STM32H7R/S与STM32U0各擅胜场
» STM32WBA系列推动物联网发展 多协定无线连接成效率关键
» 开启边缘智能新时代 ST引领AI开发潮流


刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹 ｜  
︱ Copyright ©1999-2025 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK9440OQ1CMSTACUKY
地址:台北数位产业园区（digiBlock Taipei） 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw