光电协进会（PIDA）指出，为了提高传输效率，光侦测器需要搭配讯号发射端与光学系统才能侦测到讯号。当感光面和照射光没有匹配好，则光感测度或灵敏度就会受到影响，而这些与使用材料的电子特性表现相关。过去光侦测器已经普遍应用在电子产品上，但是很难在广波长侦测与价格上取得平衡点。近期德国研究机构Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR)的研究人员Himani Arora发表以金属有机架构(MOF)作为宽频光侦测器的应用，且不需高昂的原料成本。

PIDA产业分析师王思颖表示，MOF是属於多孔特性的材料，其间隙、孔径大小，以及官能基等都可以透过分子结构来调整，由於具有高密度的特性，因此以往MOF都是使用在气体吸附、超级电容器、光催化及电催化等应用上。如今Himani的发现，让MOF的应用延伸到光侦测器的应用上，可??让光学应用更为广泛。

王思颖解释，Himani所发现的MOF是一个二维的MOF半导体材料，理论来说光侦测的灵敏度是随着温度及波长而改变，而透过MOF半导体的特性，使得能够侦测到的光谱范围从400nm到1575nm，换句话说，从紫外光(UV)范围一直到近红外光(Near IR)都能够侦测得到，突破了MOF半导体在光感测器上的应用。

在物理学上，当能带间隙越小表示激发点子所需的能量越少。而Himani发现的MOF半导体材料带隙非常小(0.45eV)，代表只需要很小的光能量就能产生电能，因此能够感测到更大的光谱范围，藉由此次的发现，让金属有机架构(MOF)的研究又前进了一大步。

Himani指出，若要优化MOF半导体在光学上的表现，可透过冷却光侦测器到更低的温度，使得热激发受到控制。甚至在装置的元件配置与机械特性上做调整，也能更加优化光学表现。不过Himani认为，接下来更重要的是专注在缩小MOF薄膜厚度的研究。目前MOF薄膜为1.7μm，希??目标降到70 nm的厚度，若能在相同的光学特性下成功达成，将有助於量产後的表现。