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台积电将与NXP合作Flash先进制程研发
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年01月17日 星期三

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台积电对外宣布,将于欧洲比利时微电子技术研究所(IMEC)及新竹研发总部,同步与恩智浦(NXP)展开45奈米制程嵌入式非挥发性技术合作。台积电与NXP合作可能将锁定闪存(Flash)先进制程研发,未来并将大量应用于NXP主要消费及通讯产品内。

NXP总裁兼执行长万豪敦表示,透过建立与台积电制程平台上的合作,例如系统单芯片的45奈米制程嵌入式非挥发性技术,此项努力将使NXP更专注于创新且与目前市场制程选择相区隔;台积电指出,双方合作将在知识产权、设计、模型分析、材料、和制程技术的研发和基础设施上发挥极大化的效能。

不过,外界似乎对台积电与NXP合作的45奈米制程嵌入式非挥发性技术兴趣更大,因为台积电长期以来与超捷半导体(SST)合作,2006年更宣布与Spansion合作生产NOR型Flash,不仅8吋厂投产闪存,12吋厂90、65奈米制程也已投入;这次与NXP合作研发45奈米制程非挥发性技术,代表台积电对于内嵌式内存企图心相当强烈。

NXP目前在行动通讯、安全应用、免接触式付款以及车内娱乐等广泛电子设备提供半导体解决方案,是全球产业界中的领导者,近期更赢得多国安全芯片等标案,业者分析,台积电与NXP携手合作45奈米制程嵌入式非挥发性技术,将成为NXP未来嵌入式内存最大制造及供货商。

据了解,台积电内部布局嵌入式内存已相当长时间,在闪存方面,已经量产的内嵌式闪存包括0.5、0.35、0.25及0.18微米制程,2007年更将迈入0.13微米制程;同时台积电也锁定汽车用嵌入式内存市场,预估2008年跨以0.18微米量产;此外,在消费性的智能芯片方面,主要则采用0.22微米制程生产。

而台积电这次与NXP的合作计划除在新竹之外,也在IMEC同步进行,目前IMEC是全球最重要的奈米制程研究中心之一,只有国际重量级业者才加入的会员组织。台积电于IMEC研发45奈米制程内嵌式内存,是相当具有发展潜力的布局动作。

關鍵字: NXP  台積電 
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