TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）指出，NAND Flash市场经历2018年全年供过於求，2019年在笔记型电脑、智慧型手机、伺服器等主要需求表现难见起色下，预计产能过剩难解，因而使得供应商进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。

根据DRAMeXchange调查指出，2018年因供过於求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出，NAND Flash总体资本支出下调近10%，但仍无法翻转供需失衡情形，2019年转为美系厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。

受到供应商调整扩产计画影响，尽管各供应商已於2018年第四季起量产92/96层3D NAND，但直至2019年底将仅占约32%位元产出，而64/72层的产出占比仍有逾50%，供应商放缓制程的推进，造成2019年NAND Flash位元成长将仅约38%，相比2018年逾45%水准明显下降。

观察各供应商产能调整，DRAMeXchange指出，三星持续减产2D NAND产能，加上92层制程消耗更多的厂房空间，2019年运转产能将较2018年底下调，位元产出成长率降至约35%，由於三星全球市占率约3成，三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大；SK海力士、东芝/威腾分别有M15以及Fab 6的新厂扩建，但同样受到减产计画或转产旧制程的影响，产出年成长率有机会低於原先预期，SK海力士和东芝/威腾原先位元产出成长率预估值分别约为50%与40%水准，但DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下，以及约35%的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂则要等到2020年才正式量产，因此全年产能几??维持不变；英特尔则除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划，美光与英特尔阵营2019年整体位元产出成长接近40%水准，相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。

从2019年NAND Flash价格走势来看，DRAMeXchange指出，由於原厂在各产品线的合约价报价跌幅，皆明显高於原先的预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水准，第二季报价可能将续跌将近15%，下半年虽有旺季需求??注，跌幅可??略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水准，端看原厂们是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水准，近??腰斩。