据外电消息，加拿大半导体厂商Mosaid Technologies于2001年在美国控告南韩三星电子（Samsung Electronics）侵犯该公司7项DRAM科技专利权，日前Mosaid表示该诉讼已与三星达成和解，双方将签订为期5年的授权协议，由三星支付Mosaid权利金；但双方并未透露相关细节。

Mosaid总裁暨执行长George Cwynar指出，该公司与三星签订专利授权之举，可说是近来最为显著的一项授权成就，也是对该公司6年前开始推动的专利授权关键策略之肯定。Mosaid资深副总暨专利授权法律顾问Jim Skippen表示，全球内存巨擘三星与该公司和解、签订授权协议，更强化该公司主张专利授权的立场，相信其余仍未与Mosaid洽谈授权的内存厂商，可望追随三星的脚步。

而Mosaid除了与三星因专利兴讼，也与英飞凌（Infineon）、海力士（Hynix）有官司正在进行；与前者的间的侵权诉讼目前排定2月中开庭审理，后者遭该公司控告侵犯6项专利权的诉讼，则由美国德州地方法院受理。

Mosaid指出，全球半导体供货商已有多数厂商获得该公司专利授权，包括富士通（Fujitsu）、恩益禧（NEC）、东芝（Toshiba）、日立（Hitachi）、三菱（Mitsubishi）、冲电气（Oki）、松下（Matsushita）、SONY、飞利浦电子（Philips）等。