账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
MRAM为我国磁储存产业发展重点
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年08月20日 星期三

浏览人次:【4148】

中央社报导,工研院光电所副所长黄得瑞于台湾磁性技术协会所主办的研讨会中指出,台湾目前磁性产业产值约为台币100至200亿元,且未来仍有发展空间,未来发展重点则是在磁储存技术领域,尤其是MRAM(磁阻式随机存取内存)技术的研发。

于二十日举行之「台湾磁性技术协会年会暨第十六届磁学与磁性技术研讨会」,共计有来自产、官、学、研等近二百位会员与会;为鼓励磁性产业创新研究而颁发之磁性技术奖章得奖人黄得瑞指出,台湾目前在磁性产业发展较佳的领域包括磁铁材料、马达和变压器等,年产值约新台币100至200亿元,至于这个产业未来发展重心将是磁储存技术,尤其是MRAM技术的研发,可说是全球皆热门的研发议题。

他说,MRAM目前在发展上仍面临到一些制程上的问题,但未来将可取代DRAM(动态随机存取内存)、SRAM(静态随机存取内存)与Flash(闪存),因此已成为国际半导体业关注的焦点,包括IBM、摩托罗拉等大厂为目前技术较为领先的业者,而我国台积电和旺宏等也对相关技术非常关切。

黄得瑞表示,台湾磁性产业年产值不算多但仍有发展空间,发展的障碍之一就是原料课税的问题,磁铁相关成品或半成品课税2.5%或不用缴税,但原材料进口却需课税5%,影响厂商发展意愿;但目前政府已同意将部份磁铁原材料关税降为2.5%或不用课税,可望为我国磁性产业进一步带来正面的发展。

關鍵字: MRAM  黃得瑞  其他記憶元件 
相关新闻
纽约大学理工学院和法国CEA-Leti合作开发12寸晶圆磁性记忆体元件
为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台
2021 VLSI台湾供应链优势再现 实现记忆体内运算与AI创新
工研院於IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术获国际肯定
STT-MRAM技术优势多 嵌入式领域导入设计阶段
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT52JEBYSTACUKI
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw