东芝成功开发可达1Gbit以上储存容量的MRAM新型TMR组件。据了解，东芝透过自旋注入反磁化方式（简称自旋注入方式），以及可大幅减小组件体积的垂直磁化技术。东芝并于美国佛罗里达州Tampa所举办的第52届磁学与磁性材料年会（Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials；MMM）上发表这项研究成果。这将是全球第一次以垂直磁化方式运作的TMR组件。

东芝的自旋注入方式是通过电流中的电子自旋作用，达到磁化方向翻转并以此记录数据。与电子自旋方向一致的电流导入磁性体夹着绝缘膜的TMR组件，可达到磁化翻转的目的。这种方式可在缩小TMR组件尺寸的同时，也减小写入电流，有助于体积的缩小。

此外，利用磁性层的垂直方向进行磁化，比过去面层磁化的方式相比，由于反磁化的能量低，仅需少量电流，可达到小型化。尽管如此，目前由于很难确保绝缘膜的界面平整，因此许多人认为垂直磁化方式可能很难应用于MRAM。

东芝在改良材料以及整体制程同时，还改进了界面部分组件的结构。自由层以及固定层均采用了TbCoFe，绝缘膜采用MgO，界面层采用CoFeB，均形成1nm左右的薄层，使各层能进行接合。往后东芝也将继续开发更适用于自旋注入的材料、以及减少整合所产生的误差等。