Zetex推出全新20V和30V N信道晶体管，将旧型SOT23封装MOSFET的导通电阻减半、漏电流提升一倍，在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。

新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化沟道MOSFET，采用Zetex SOT23封装，再加上接点至环境的热阻比旧型SOT23组件低37%，由每瓦特200°C锐减至125°C，这两款组件更可发挥极大的效益。

20V N信道MOSFET可在60mΩ 导通电阻和4.5V栅驱动下，提供4.1A的连续漏电流。30V组件在65mΩ 导通电阻和10V栅驱动下的连续漏电流可达3.9A。

Zetex亚太区有限公司董事总经理David Slack表示，两款新的MOSFET组件结合了低导通电阻与快速开关的优点，适合用于高效率、低电压的功率管理应用，例如直流-直流转换器、隔离开关及马达控制器。