根据iThome报导，英特尔（Intel）在VLSI电路暨技术研讨会（VLSI Symposium on Technology and Circuits）中宣布正在研发更省电及更有效率的立体晶体管架构，预计在2009年发表。

英特尔表示，该公司已经在新的晶体管中整合了high-k绝缘体、金属栅电极（metal gate electrode），以及张力硅晶（strained silicon），2009年将采用32奈米制程，届时这款立体晶体管将比现有的65奈米制程的平面晶体管增加45%的速度，或是减少35%的电力耗损。

英特尔表示，该款立体晶体管架构将用在未来的微处理器上，而65奈米技术及45奈米技术都将沿用旧架构，32奈米组件预计在2009年量产，而22奈米组件则计划在2011年量产。

立体晶体管架构比传统的复杂，而且制造难度也较高，英特尔并未说明采用立体晶体管是否会对价格产生影响，不过立体晶体管的关键在于蚀刻过程，而非设备，暗示英特尔不需为立体晶体管再进行设备投资。