根据外电报导，由于DRAM持续跌价，美光（Micron）、韩国三星电子、Hynix半导体等全球主要业者为开拓财源，纷将记忆体事业多角化并提高产品附加价值，以因应市场的激烈竞争。

根据韩国经济新闻报导，三星电子为因应最近DRAM价格频频下挫，计划研发并增产快闪记忆体（Flash）复合式记忆体，在DRAM部分则将大幅增加DDR333生产比重。快闪记忆体方面，三星2003年NAND型快闪记忆体产量将提高133％；NOR型快闪记忆体月产能则扩增至500万颗。

在DRAM方面，三星将藉由提高DDR333与DDR400等高阶DDR生产比重，将市场主力产品由DDR266转换成DDR333。据悉，三星计划将DDR333占整体DDR产品比重，在2003年时由目前的25％扩增至50％；DDR400则将由4％，增至10％。

此外美光、英飞凌（Infineon）、Hynix与南亚科技等其他业者，也将朝事业多角化、产品高阶化发展。 2002年试产128M快闪记忆体的美光，计划2003年底前量产；Hynix则将藉由与欧洲业者策略联盟，大幅增加2002年营收仅708亿韩元（约5664万美元）的快闪记忆体事业营收比重。而英飞凌2003年亦拟加强投资高性能记忆体与非记忆体事业。