快捷半导体在《今日电子》杂志主办的第 11界年度十大直流-直流电源产品奖活动中荣获殊荣。
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快捷半导体直流电源产品奖活动中荣获殊荣 |
自提交高电压场截止阳极短路沟槽 IGBT至最佳应用奖类评委会后,这已是快捷半导体第七次荣获此著名奖项。该类奖项认可在性价比以及理解市场需求方面取得的卓越成绩。
电压范围为 1,100 V 至 1,400 V 的高压场截止阳极短路沟槽 IGBT 采用固有的反并联二极管进行优化,适用于软开关应用。随着传统非穿通 (NPT) IGBT 技术的进步,快捷半导体阳极短路硅技术提供的较低的饱和电压,与具有相同额定值的 NPT 沟槽 IGBT 相比,降低幅度超过 12%。
另外,与竞争对手的 IGBT 产品相比,该产品系列提供较低的尾电流比例,降低幅度超过 20%。凭借丰富的特性,快捷半导体先进的 IGBT 产品能够提供更佳的热性能、更高的效率和更低的功耗。对于需要较低的传导损耗和较高的开关性能,从而实现更高的效率和系统可靠性的大功率、高频感应加热(IH) 家用电器来说,这些器件是理想之选。
快捷半导体场截止阳极短路沟槽 IGBT 提供业界领先的技术,能够解决目前设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用是快捷半导体推出的节能型功率模拟IC、功率离散和光电解决方案的一部分,能够在对能源敏感的应用中实现节能最大化。
十大直流-直流电源产品奖用于表彰技术或其应用的杰出进步。该奖项强调创新和卓越的性价比,涵盖所有电源产品。通过以下三个标准评价所提交的产品: 技术或其应用的显著进步、创新型设计和性价比的大幅提高。另外,还有五个单项奖: 技术突破奖、最佳应用奖、最佳开发奖、环保能源奖、独立创新奖。