据市调机构IC Insights报告指出，2002～2007年间化合物半导体市场规模年复合平均成长率（CAGR）将达22％，较整体半导体市场规模的10％，高出1倍。

IC Insights指出，像砷化镓（GaAs）、矽锗（SiGe）及磷化铟（InP）等化合物半导体，拥有较纯矽为佳的电气特性，包括能在较高的频率下工作、讯号接收能力强、容易在拥挤的频带中分离出讯号，以及耗能效率较佳等优点。

自1990年代未期，业者开始为小众的利基市场生产小规模的化合物半导体，多半用于通讯领域；化合物半导体具备前述优点，也使得无线通讯产品能够使用更高的频带，而有线通讯产品能使用的频宽亦更广。据该机构报告显示，目前砷化镓是化合物半导体中所占比例最高者，2002年达整体的87％，而未来矽锗产品可望异军突起，估计至2007年占整体化合物半导体比例可达33％ 。

矽锗产品最占优势之处，在于其与纯矽半导体可共用CMOS制程，意即目前的8吋或12吋晶圆生产技术，可直接用来制造矽锗晶圆，降低生产的成本。此外，矽锗晶圆可用以生产矽锗HBT（异质界面双极晶体），不但耗能低，数位电路的集积度也高，相当利于生产通讯用混讯IC。