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晶圆大厂竞逐0.13微米以下先进制程技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年01月11日 星期日

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据Digitimes消息,在日前由Semico主办、电子时报与FSA协办的「90奈米及深次微米」研讨会(90nm and Beyond)中,半导体市调机构Semico Research总裁Jim Feldhan预估,0.13微米以下先进晶圆制程产出将在2007年达到40%;而为抢攻先进制程商机,台积电、联电与IBM微电子等大厂皆积极发展相关技术与服务。

IBM微电子则认为,传统硅晶圆(bulk silicon)在先进制程下,将无法突破高处理频率漏电瓶颈,因此65奈米等主流制程将成为绝缘层上覆硅技术(Silicon-on-Insulator;SOI)与英特尔(Intel)等主导的应变硅(Strained Silicon)技术竞逐局面。IBM科技事业群副总裁Bernie Mereyson指出,CMOS制程将面临淘汰局面,SOI可以提供强力集积度(power density)芯片,同时克服硅晶圆漏电问题,将成为下一代制程主流材料。

台积电全球营销副总胡正大则指出,晶圆代工厂在低电介质(low-k)、8吋厂转12吋厂等先进制程学习曲线稳定后,2004年90奈米CMOS制程正处于加温阶段,预估2005年才会逐渐成为全球半导体的主流制程。胡正大表示,高成本是导致设计公司客户提升制程意愿低落的主因,台积电已透过晶圆共承制(Multi-Project Wafer;MPW)以降低客户开发90奈米制程的光罩、晶圆成本。

联电执行长胡国强亦表示,2004年90奈米仍是少数客户采用的制程,而该公司采取积极强化90奈米以下单芯片整合硅智财(IP)的建立;胡国强表示,无线通信与数字娱乐是驱动新一代硅晶圆半导体的主要动力,联电与IC设计客户以Multiple IDM模式,积极建构因应新一代半导体技术所需的IP数据库,以面对单芯片世代。

關鍵字: IBM  台積電  联电 
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