账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
晶圆大厂竞逐0.13微米以下先进制程技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年01月11日 星期日

浏览人次:【2949】

据Digitimes消息,在日前由Semico主办、电子时报与FSA协办的「90奈米及深次微米」研讨会(90nm and Beyond)中,半导体市调机构Semico Research总裁Jim Feldhan预估,0.13微米以下先进晶圆制程产出将在2007年达到40%;而为抢攻先进制程商机,台积电、联电与IBM微电子等大厂皆积极发展相关技术与服务。

IBM微电子则认为,传统硅晶圆(bulk silicon)在先进制程下,将无法突破高处理频率漏电瓶颈,因此65奈米等主流制程将成为绝缘层上覆硅技术(Silicon-on-Insulator;SOI)与英特尔(Intel)等主导的应变硅(Strained Silicon)技术竞逐局面。IBM科技事业群副总裁Bernie Mereyson指出,CMOS制程将面临淘汰局面,SOI可以提供强力集积度(power density)芯片,同时克服硅晶圆漏电问题,将成为下一代制程主流材料。

台积电全球营销副总胡正大则指出,晶圆代工厂在低电介质(low-k)、8吋厂转12吋厂等先进制程学习曲线稳定后,2004年90奈米CMOS制程正处于加温阶段,预估2005年才会逐渐成为全球半导体的主流制程。胡正大表示,高成本是导致设计公司客户提升制程意愿低落的主因,台积电已透过晶圆共承制(Multi-Project Wafer;MPW)以降低客户开发90奈米制程的光罩、晶圆成本。

联电执行长胡国强亦表示,2004年90奈米仍是少数客户采用的制程,而该公司采取积极强化90奈米以下单芯片整合硅智财(IP)的建立;胡国强表示,无线通信与数字娱乐是驱动新一代硅晶圆半导体的主要动力,联电与IC设计客户以Multiple IDM模式,积极建构因应新一代半导体技术所需的IP数据库,以面对单芯片世代。

關鍵字: IBM  台積電  联电 
相关新闻
新思科技与台积电合作 实现数兆级电晶体AI与多晶粒晶片设计
IBM提出「智慧金融蓝图」 吁善用生成式AI打造叁与式银行
Ansys、台积电和微软合作 提升矽光子元件模拟分析速度达10倍
台积电扩大与Ansys合作 整合AI技术加速3D-IC设计
IBM公布企业AI治理手册 协助AI治理速启动、稳落地
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇
» 跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展
» 您的开源软体安全吗?
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 关於台积电的2奈米制程,我们该注意什麽?


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BA88OTFGSTACUK0
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw