账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
ASM和SAFC签订认证制造厂商与合作协议
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年01月16日 星期五

浏览人次:【2947】

ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。 该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可,以及针对这些化学原料的营销与进阶开发合作关系。

最新开发的 「环戊二烯」(cyclopentadienyl) 材料能够让次世代以锶(Strontium)和钡( Barium )为基础的超高介电常数绝缘层具备超过100的介电常数。相较之下,目前量产的以锆( Zirconium) 和 铪(Hafnium )为基础的高介电常数绝缘层,其介电常数则低于30至40。具较高介电常数的绝缘层能够让装置制造厂商为DRAM内存芯片生产更小的电容,和替微处理器生产更小的晶体管。

「我们看到在芯片制程当中生产与整合新材料的作法进一步推动了摩尔定律。」ASM的科技长暨研发部门总监 Ivo Raaijmakers博士表示,「像这样的合作协议将让我们能够更有效率地开发新材料,并且在供应链上做好准备,以实时在制程当中导入超高介电常数材料。」

「SAFC Hitech和 ASM的研究团队已经密切合作了相当长的时间,并共同致力于此等级环戊二烯材料的评估与流程开发。」 SAFC Hitech研发部门总监Peter Heys博士补充道,「这样的合作产出了高质量ALD的原料。我们现在正努力扩大锶与钡超高介电常数来源前驱物的大量制造生产。现在的目标是要让产品数量得以因应2011年与未来的预估需求、符合ITRS产品蓝图的需求,以及ASM 和SAFC Hitech 的规划。」

關鍵字: High-k  ALD  ASM  SAFC  製程材料類 
相关新闻
默克於韩国安城揭幕旋涂式介电材料应用中心 深化下一代晶片技术支持
ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
ASM在台首个培训中心落脚台南 首次引进VR训练技术
延续摩尔定律 默克大力研发创新半导体材料
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交换机除错的好帮手
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT17K8HWSTACUKO
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw