东芝发表了新一代的NAND闪存技术。据了解，东芝成功研发了不必依赖微细化而能增大NAND闪存容量的储存单元排列技术。在栅极电极膜和绝缘膜交互层迭的结构上，打入贯通上层到下层的小孔，在柱状空隙中填入含杂质的硅。如此一来，由于栅极电极层以一定的间隔包围硅柱，所以只要在各交叉点形成数据储存空间—SiN膜，就可以让该部分变成SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）型NAND闪存。东芝将这样的技术定位成下下世代使用的NAND闪存技术。

过去的积层结构是在硅底板上形成二维储存单元，并根据层数重复该步骤进行层迭。而这样的制作手续是个难题。新结构由于一开始就对层迭起来的电极膜和层间绝缘膜一次性打上贯通孔，因此生产效率非常高。新结构即使增加积层数量，也不需要增加光刻制程（Lithography）的次数，且驱动控制栅极的电路也不会大幅增加。

由于新的储存结构不是透过储存单元的微细化，而是透过增加层数来提高单位芯片面积的容量密度，所以可望成为未来增大内存容量的方法。

积层结构的贯通孔利用反应性离子刻蚀（Ion Etching）技术进行加工配置。其他的步骤也可以采用与过去相同的设备和材料。东芝表示，该技术已经确定，未来则将朝向提高性能和稳定性的方向来发展。