据经济日报报导，因数据存取型闪存严重缺货，DRAM大厂三星、东芝新增12吋厂增加生产闪存，Hynix也有意跟进，使DRAM市场本周将出现小幅缺货，而南科、茂德及力晶三大业者都认为DRAM现货价本周将反弹。

外电报导，南韩三星近期扩充12吋晶圆厂产能，预计年底月产出1.7万片，其中半数以上生产闪存，并转进高阶的90奈米制程。南韩Hynix近期也打算将DRAM制造外包其他业者代工，开始与Flash厂商接触，准备生产数据存取型闪存，以降低单一产品风险。

模块业者表示，近期128MB（1Gb）闪存报价大幅上涨，7月价格为16.8美元，9月涨到27美元至30美元，让许多通路及模块商提货困难。闪存价格在短短三个月内涨幅逾70％，主要是产品应用端需求增加，除了数字相机、随身碟等内存外，多媒体手机所需的MMC记忆卡，也是潜在的应用产品。

闪存价格上涨，也带动DRAM制造商转移产能，以制造成本分析，1Gb闪存售价若为28美元，相当于256Mb闪存价格为7美元，比起目前256Mb DDR报价4.5美元，溢价55％，确实让许多DRAM厂心动。